FZ Silicon Wafer Semiconductor
תיאור פרוסות סיליקון FZ היא סוג של פרוסות סיליקון בטוהר גבוה הנפוץ בתעשיית המוליכים למחצה. FZ ראשי תיבות של Float Zone, שהיא שיטה לגידול סיליקון קריסטל יחיד. במהלך תהליך FZ, מוט סיליקון תלוי אנכית בתנור בטמפרטורה גבוהה, ו...
תיאור
תיאור
פרוסות סיליקון FZ היא סוג של פרוסות סיליקון בטוהר גבוה הנמצאות בשימוש נפוץ בתעשיית המוליכים למחצה. FZ ראשי תיבות של Float Zone, שהיא שיטה לגידול סיליקון קריסטל יחיד.
במהלך תהליך FZ, מוט סיליקון תלוי אנכית בכבשן בטמפרטורה גבוהה, ואזור מותך נוצר על ידי חימום חלק קטן מהמוט. האזור המותך מועבר לאורכו של המוט, וכשהוא מתקרר, הוא מתמצק לכדי גביש יחיד. התהליך חוזר על עצמו מספר פעמים עד שכל אורך המוט הומר לגביש בודד.
לפרוסות סיליקון FZ יש רמת טוהר גבוהה מאוד, עם רמות טומאה בדרך כלל פחות מחלק אחד למיליארד. טוהר זה הופך אותם לאידיאליים לשימוש במכשירים אלקטרוניים בעלי ביצועים גבוהים, כגון מיקרו-מעבדים, שבבי זיכרון ותאים סולאריים. פרוסות FZ משמשות גם במחקר מדעי ובייצור חיישנים וגלאים בעלי ביצועים גבוהים.
מִפרָט
| קוֹטֶר | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" |
| שיטת צמיחה | FZ | |||||
| נטייה | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > | |||||
| סוג/דופנט | Intrinsic, N Type/Phos, P Type/Boron | |||||
| עובי (אממ) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 |
| סובלנות עובי | סטנדרטי ± 25um | ±50um | ||||
| התנגדות (אוהם-ס"מ) | 1000-20000, Maximum Capabilities>20000, ו-1-5 | |||||
| משטח גמור | P/E , P/P, E/E, G/G | |||||
| TTV (אממ) | תֶקֶן< 10 um | |||||
| קשת/עקומה (אממ) | תֶקֶן<40 um | |||||

תגיות פופולריות: מוליך למחצה פרוסות סיליקון fz
שלח החקירה
אולי גם תרצה
