פרוסות סיליקון מונו-גבישיות לאופטואלקטרוניקה

פרוסות סיליקון מונו-גבישיות לאופטואלקטרוניקה

פרוסות סיליקון חד-גבישיות הן חומר חשוב לתחום האופטו-אלקטרוניקה. המאפיינים האופטיים והאלקטרוניים הייחודיים שלהם הופכים אותם לאידיאליים עבור מגוון רחב של יישומים, החל מגלאי פוטו ונוריות לד ועד לתאים סולאריים ומעבר לכך.

תיאור

 

תיאור

פרוסות סיליקון מונו-גבישיות נמצאות בשימוש נרחב באופטואלקטרוניקה בשל התכונות האופטיות הייחודיות והביצועים האלקטרוניים המצוינים שלהן. אופטואלקטרוניקה היא תחום מחקר המשלב את עקרונות האופטיקה והאלקטרוניקה, תוך התמקדות במכשירים המשתמשים באור כדי להעביר ולעבד מידע.

אחד היישומים הנפוצים ביותר של פרוסות סיליקון חד-גבישיות באופטו-אלקטרוניקה הוא בייצור של גלאי פוטו. גלאי פוטו הם מכשירים אלקטרוניים הממירים אנרגיית אור לאות חשמלי. פרוסות סיליקון מונו-גבישיות הן אידיאליות ליישומי photodetector מכיוון שהן מפגינות רגישות גבוהה לאור ורמות רעש נמוכות, החיוניות לזיהוי אותות מדויק.

Monocrystalline Silicon Wafers for Optoelectronics

מִפרָט
קוֹטֶר 2"  3"  4"  5"  6"  8"  12" 
כיתה רִאשׁוֹנִי
שיטת צמיחה CZ
נטייה < 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 >
סוג/דופנט P Type/Boron , N Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb
עובי (מיקרומטר) 279 380 525 625 675 725 775
סובלנות עובי תקן ± 25μm, יכולות מקסימליות ± 5μm ± 20μm ± 20μm
הִתנַגְדוּת סְגוּלִית 0.001 - 100 אוהם-ס"מ
משטח גמור P/E , P/P, E/E, G/G
TTV (מיקרומטר) תֶקֶן< 10 um, Maximum Capabilities <5 um
קשת/עקומה (?מ) תֶקֶן<40 um,  Maximum Capabilities <20 um <40μm <40μm

 

 

 

 

Monocrystalline Silicon Wafers for Optoelectronics

פרוסות סיליקון מונו-גבישיות הן חומר חשוב לתחום האופטו-אלקטרוניקה. המאפיינים האופטיים והאלקטרוניים הייחודיים שלהם הופכים אותם לאידיאליים עבור מגוון רחב של יישומים, החל מגלאי פוטו ונוריות לד ועד לתאים סולאריים ומעבר לכך.

 

תגיות פופולריות: פרוסות סיליקון חד גבישיות לאופטואלקטרוניקה

אולי גם תרצה

שקיות קניות