סיליקון קרביד אודות Wide Bandgap Semiconductor
video
סיליקון קרביד אודות Wide Bandgap Semiconductor

סיליקון קרביד אודות Wide Bandgap Semiconductor

סיליקון קרביד נחשב למוליך למחצה רחב של פסים בשל מרווח פס האנרגיה הגדול שלו (בערך 3.0 eV עבור הפוליטיפ המשושה הנפוץ). תכונה זו מאפשרת לו לעמוד במתחים ובטמפרטורות גבוהות יותר בהשוואה למוליכים למחצה רגילים מבוססי סיליקון.

תיאור

 

תיאור

סיליקון קרביד (SiC) מוכר באופן נרחב כחומר מוליכים למחצה רחב של פסים.

מִפרָט
סיליקון קרביד שחור(מוצרים יכולים להיותמותאם אישית)
מַטָרָה
 
מִפרָט
הרכב כימי ( אחוזים )
תוכן חומר מגנטי מרבי ( אחוז )
SIC-min
FC-max
Fe2O3-מקסימום
 
 
דרגת חומרים שוחקים
 
 
תְבוּאָה
12-80
98
0.20
0.6
0.0023
90-150
97
0.30
0.8
0.0021
180-220
97
0.30
1.2
0.0018
מיקרו אבקה
240-4000
96
0.35
1.35
-
 
 
 
 
 
דרגת עקשן
 
 
גודל קבוצה
(מ"מ)
0-1
 
 
97
 
 
0.35
 
 
1.35
 
 
-
1-3
3-5
5-8
 
 
אבקה דקה
(רֶשֶׁת)
-180
 
 
97
 
 
0.35
 
 
1.35
 
 
-
-200
-240
-320
צֶבַע
שָׁחוֹר
קשיות (מוהס)
9.15
נקודת התכה (מעלה)
2250
טמפרטורת שירות מקסימלית (מעלה)
1900
צפיפות טורי (g/cm3)
3.9

להלן מידע על SiC כמוליך למחצה רחב של פערי פס:

  1. אנרגיית פער פס רחב: לסיליקון קרביד יש אנרגיית פער פס רחב משמעותית בהשוואה למוליכים למחצה מסורתיים כמו סיליקון. פער הפס של SiC נע בין כ-2.2 ל-3.3 וולט אלקטרונים (eV), תלוי במבנה הגביש והפוליטיפ.
  2. מתח פירוק גבוה: מרווח הפס הרחב של SiC מאפשר יכולות מתח פירוק גבוהות. מכשירים מבוססי SiC יכולים לעמוד בשדות חשמליים גבוהים יותר לפני שהם חווים תקלה, מה שהופך אותם למתאימים ליישומי מתח גבוה.
  3. פעולה בטמפרטורה גבוהה: מרווח הפס הרחב של סיליקון קרביד מאפשר גם פעולה בטמפרטורה גבוהה. התקני SiC יכולים לשמור על הביצועים והאמינות שלהם בטמפרטורות גבוהות, מה שהופך אותם למתאימים ליישומים שחווים עומסים תרמיים גבוהים.
  4. המרת הספק יעילה: מרווח הפס הרחב של SiC, בשילוב מוליכות תרמית מעולה והתנגדות הפעלה נמוכה, מאפשרים המרת הספק יעילה יותר בהשוואה להתקנים מסורתיים מבוססי סיליקון. התקני כוח אלקטרוניים מבוססי SiC, כגון דיודות, MOSFETs ו-IGBTs (טרנזיסטורים דו-קוטביים של שער מבודדים), מציעים הפסדי הספק מופחתים, תדרי פעולה גבוהים יותר ויעילות אנרגטית משופרת.
  5. מהירויות מיתוג מהירות יותר: מרווח הפס הרחב וניידות האלקטרונים הגבוהה של SiC מביאים למהירויות מיתוג מהירות יותר עבור מכשירים מבוססי SiC. התקני SiC יכולים להידלק ולכבות מהר יותר, מה שמאפשר תדרי מיתוג גבוהים יותר.
  6. מגוון רחב של יישומים: מאפייני המוליכים למחצה רחבים של פס-הפס של SiC הופכים אותו למתאים ליישומים שונים. הוא נמצא בשימוש נפוץ באלקטרוניקה כוח, כולל מערכות הנעה לרכב חשמלי (EV), מערכות אנרגיה מתחדשת (כגון ממירי שמש ורוח), כונני מנועים תעשייתיים ויישומי מיתוג בתדר גבוה.

Silicon Carbide about Wide Bandgap SemiconductorSilicon Carbide about Wide Bandgap Semiconductor

מאפייני המוליכים למחצה רחבים של סיליקון קרביד מאפשרים לו להתעלות על מוליכים למחצה מסורתיים מבוססי סיליקון ביישומי מתח גבוה, טמפרטורה גבוהה והספק גבוה.

טכנולוגיית SiC מתפתחת ללא הרף ויש לה פוטנציאל לחולל מהפכה בתעשיות שונות על ידי מתן מערכות אלקטרוניות יעילות, קומפקטיות ואמינות יותר.

שאלות נפוצות

Q: Iהאם המחיר נתון למשא ומתן?

ת: כן, אם יש לך שאלות, אנא אל תהסס לפנות אלינו. אנו נעשה כמיטב יכולתנו כדי לתמוך בלקוחות שרוצים להרחיב את השוק.

 

Q: Cאתה מספק דוגמיות חינם?

ת: כן, אנחנו יכולים לספק דוגמאות חינם.

 

Q: Cהאם אתה משתמש במפרטים שלנו כדי לייצר את המוצרים שלך? האם יש תמיכה במוצרים מותאמים אישית?

ת: כן, אם אתה יכול לעמוד בכמות ההזמנה המינימלית שלנו, ניתן להתאים את מפרטי המוצר.

 

ש: האם אתה יצרן?

ת: כן, אנחנו יצרן הממוקם בעיר אניאנג, מחוז הנאן.

 

תגיות פופולריות: מוליך למחצה סיליקון קרביד על פס רחב

אולי גם תרצה

שקיות קניות